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总投资5亿!长光华芯半导体激光创新研究院即将全线投入使用

5月15日,苏州长光华芯半导体激光创新研究院1#研发楼装修项目开工仪式举办。
据了解,苏州半导体激光创新研究院由苏州高新区和长光华芯共建,项目总投资5亿元,占地面积近2.3万平方米,建筑面积5万平方米,包含研发大楼、综合楼、生产工艺大楼等。目前,2#生产工艺大楼和3#综合楼已全线投入使用。

1#研发大楼外貌

5月12日,江苏省省委副书记、省长许昆林一行在苏州调研疫情防控和经济社会发展情况,期间,到访苏州长光华芯半导体激光创新研究院进行调研视察。长光华芯董事长&总经理闵大勇,副董事长&首席技术官王俊博士负责接待,向来访领导介绍了长光华芯企业经营、技术研发及疫情防控等情况,并带许昆林一行来到长光华芯工艺大楼参观激光芯片制造的各个工艺环节。

江苏省省委副书记、省长许昆林听取了汇报,对长光华芯坚持自主创新,十年如一日,打破国外垄断,实现自主可控的坚持表示认可,了解到长光华芯发展半导体激光产业集群的未来规划后,许昆林表示抓创新就是抓发展,谋创新就是谋未来,希望长光华芯发挥行业龙头作用,带领半导体激光产业繁荣发展。
据苏高新科技今年3月消息显示,半导体激光创新研究院将充分利用长光华芯已有的高功率半导体激光芯片优势,横向拓展高效率半导体VCSEL芯片、高速光通信芯片、激光照明、激光显示等方向和领域,同时,通过研究院平台吸引全球该领域和相关领域高端人才,形成批量引进和集聚效应,建设国内一流的半导体激光芯片研发平台,打造半导体激光产业高地,进一步推动半导体激光芯片的国产化和产业化进程,打造完全自主可控的中国激光芯!

长光华芯IDM全流程工艺平台

长光华芯是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光芯片的公司,建成了完全自主可控的从芯片设计、MOCVD(外延)、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线,拥有边发射激光芯片(EEL)和面发射激光芯片(VCSEL)两大产品结构,GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)两大材料体系,3吋、6吋两大量产线。
未来,长光华芯将继续发挥高功率半导体激光芯片优势,围绕半导体激光芯片和应用“横向扩展,纵向延伸”,打造半导体激光技术创新集群和产业集群。

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