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中科院苏州纳米所5nm激光光刻研究获进展

据中科院官网报道,近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张子旸与国家纳米中心研究员刘前合作,在Nano Letters上发表了题为5 nm Nanogap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography的研究论文,报道了一种新型5nm超高精度激光光刻加工方法。

传统上,激光直写可利用连续或脉冲激光在非真空的条件下实现无掩模快速刻写,降低了器件制造成本,是一种有竞争力的加工技术。然而,激光直写技术由于衍射极限以及邻近效应的限制,很难做到纳米尺度的超高精度加工。

苏州纳米所张子旸团队基于光热反应机理设计开发了一种新型三层堆叠薄膜结构。在无机钛膜光刻胶上,采用双激光束(波长为405nm)交叠技术(图a),通过精确控制能量密度及步长,实现了1/55衍射极限的突破(NA=0.9),达到了最小5nm的特征线宽。此外,研究团队利用这种超分辨的激光直写技术,实现了纳米狭缝电极阵列结构的大规模制备(图b-c)。

双束交叠加工技术示意图(左)和5nm 狭缝电极电镜图(右)

相较而言,采用常规聚焦离子束刻写,制备一个纳米狭缝电极需要10到20分钟,而利用本文开发的激光直写技术,可以一小时制备约5×105个纳米狭缝电极,展示了可用于大规模生产的潜力。

该研究使用了研究团队开发的具有完全知识产权的激光直写设备,利用激光与物质的非线性相互作用来提高加工分辨率,有别于传统的缩短激光波长或增大数值孔径的技术路径,打破了传统激光直写技术中受体材料为有机光刻胶的限制,可使用多种受体材料,扩展了激光直写的应用场景。

研究团队针对激光微纳加工中所面临的实际问题出发,解决了高效和高精度之间的固有矛盾,开发的新型微纳加工技术在集成电路、光子芯片、微机电系统等众多微纳加工领域展现了广阔的应用前景。

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